DMC3032LFDB-13

Diodes Incorporated

DMC3032LFDB-13

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N/P-CH 30V 5.3A 6UDFN

생산 중6-UDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 5.8A, 10V, 70mOhm @ 3.8A, 10V
기본 품번DMC3032
구성N and P-Channel Complementary
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.6nC @ 10V, 7.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds500pF @ 15V, 336pF @ 25V
제조사Diodes Incorporated
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.3A (Ta), 3.4A (Ta)
Power - Max800mW

기계적 특성

패키지Bulk
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지U-DFN2020-6 (Type B)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)