DGD2012S8-13

Diodes Incorporated

DGD2012S8-13

아날로그 및 전원

IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K

구형8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

기본 품번DGD2012
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
입력 유형Non-Inverting
제조사Diodes Incorporated
실장 방식Surface Mount
Number of Drivers2
Product StatusObsolete
Rise / Fall Time (Typ)40ns, 20ns

전기적 특성

Current - Peak Output (Source, Sink)1.9A, 2.3A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)200 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.5V
공급 전압10V ~ 20V

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급사 디바이스 패키지8-SO

환경 조건

동작 온도-40°C ~ 150°C (TJ)