CMSP2011A6-HF

Comchip Technology

CMSP2011A6-HF

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 20VDS 12VGS 11A DFNW

생산 중6-WDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 7.2A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1580 pF @ 6 V
제조사Comchip Technology
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta)
최대 전력 손실750mW (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지DFNWB2x2-6L-J

환경 조건

동작 온도150°C(TJ)