CMS80N03H8-HF

Comchip Technology

CMS80N03H8-HF

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 30V 80A DFN5X6

구형8-PowerTDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 20A, 10V
기본 품번CMS80
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1160 pF @ 25 V
제조사Comchip Technology
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
최대 전력 손실2W (Ta), 53W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
공급사 디바이스 패키지DFN5x6 (PR-PAK)

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)