CXDM1002N TR PBFREE

Central Semiconductor Corp

CXDM1002N TR PBFREE

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89

생산 중TO-243AA아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds550 pF @ 25 V
제조사Central Semiconductor Corp
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
최대 전력 손실1.2W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-243AA
공급사 디바이스 패키지SOT-89

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)