CTLM8110-M832D TR

Central Semiconductor Corp

CTLM8110-M832D TR

아날로그 및 전원

TRANSISTOR

구형8-TDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 200mA, 1.8V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds200 pF @ 16 V
제조사Central Semiconductor Corp
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C860mA (Ta)
최대 전력 손실1.65W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-TDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지TLM832D

환경 조건

동작 온도-65°C~150°C(TJ)