CTLDM304P-M832DS TR

Central Semiconductor Corp

CTLDM304P-M832DS TR

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS

구형8-TDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 4.2A, 10V
기본 품번CTLDM304P
구성2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds760pF @ 15V
제조사Central Semiconductor Corp
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.2A
Power - Max1.65W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-TDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지TLM832DS

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)