CP406-CWDM3011N-CT

Central Semiconductor Corp

CP406-CWDM3011N-CT

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE

생산 중Die아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
제조사Central Semiconductor Corp
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.93A (Ta)
최대 전력 손실1.15W (Ta)

기계적 특성

패키지Tray
Package / CaseDie
공급사 디바이스 패키지Die

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)