3LN01SS-TL-E

Catalyst Semiconductor Inc

3LN01SS-TL-E

아날로그 및 전원

N-CHANNEL SILICON MOSFET

생산 중SC-81아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7Ohm @ 80mA, 4V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7000 pF @ 10 V
제조사Catalyst Semiconductor Inc.
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C150mA (Ta)
최대 전력 손실150mW (Ta)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseSC-81
공급사 디바이스 패키지SC-81 (SSFP)

환경 조건

동작 온도150°C(TJ)