일반
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 600mA, 12V |
|---|---|
| FET Feature | Current Sensing |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4 nC @ 12 V |
| 제조사 | Cambridge GaN Devices |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 시리즈 | ICeGaN™ |
| 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +20V, -1V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.2V @ 2.75mA |