일반
| 출력 구성 | Phototransistor |
|---|---|
| 제조사 | Broadcom Limited |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Response Time | 15µs, 15µs |
| Sensing Distance | 0.106" (2.7mm) |
| Sensing Method | Through-Beam |
| 유형 | Unamplified |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 mA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 50 mA |
기계적 특성
| 패키지 | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 4-DIP Module |
환경 조건
| 동작 온도 | -25°C~85°C |
|---|