W989D6DBGX6E

Winbond Electronics

W989D6DBGX6E

データシート

メモリ・ストレージ

IC DRAM 512MBIT LVCMOS 54VFBGA

量産中54-TFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SDRAM - Mobile LPSDR
アクセス時間5 ns
ベース品番W989D6
メーカーWinbond Electronics
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
書き込みサイクル時間15ns

電気特性

メモリ容量512Mbit
メモリ形式DRAM
Memory InterfaceLVCMOS
クロック周波数166 MHz
電源電圧1.7V ~ 1.95V
Memory Organization32M x 16

機械特性

パッケージTray
Package / Case54-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ54-VFBGA (8x9)

環境条件

動作温度-25°C ~ 85°C (TC)