W989D2DBJX6E

Winbond Electronics

W989D2DBJX6E

データシート

メモリ・ストレージ

IC DRAM 512MBIT LVCMOS 90VFBGA

量産中90-TFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SDRAM - Mobile LPSDR
アクセス時間5 ns
ベース品番W989D2
メーカーWinbond Electronics
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
書き込みサイクル時間15ns

電気特性

メモリ容量512Mbit
メモリ形式DRAM
Memory InterfaceLVCMOS
クロック周波数166 MHz
電源電圧1.7V ~ 1.95V
Memory Organization16M x 32

機械特性

パッケージTray
Package / Case90-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ90-VFBGA (8x13)

環境条件

動作温度-25°C ~ 85°C (TC)