W987D6HBGX7E TR

Winbond Electronics

W987D6HBGX7E TR

メモリ・ストレージ

IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA

生産終了54-TFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SDRAM - Mobile LPSDR
アクセス時間5.4 ns
ベース品番W987D6
メーカーWinbond Electronics
実装タイプSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
書き込みサイクル時間15ns

電気特性

メモリ容量128Mbit
メモリ形式DRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数133 MHz
電源電圧1.7V ~ 1.95V
Memory Organization8M x 16

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case54-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ54-VFBGA (8x9)

環境条件

動作温度-25°C~85°C(TC)