W987D2HBJX7E

Winbond Electronics

W987D2HBJX7E

メモリ・ストレージ

IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA

生産終了90-TFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SDRAM - Mobile LPSDR
アクセス時間5.4 ns
ベース品番W987D2
メーカーWinbond Electronics
実装タイプSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
書き込みサイクル時間15ns

電気特性

メモリ容量128Mbit
メモリ形式DRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数133 MHz
電源電圧1.7V ~ 1.95V
Memory Organization4M x 32

機械特性

パッケージTray
Package / Case90-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ90-VFBGA (8x13)

環境条件

動作温度-25°C~85°C(TC)