W949D6DBHX5E

Winbond Electronics

W949D6DBHX5E

データシート

メモリ・ストレージ

IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA

量産中60-TFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SDRAM - Mobile LPDDR
アクセス時間5 ns
ベース品番W949D6
メーカーWinbond Electronics
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
書き込みサイクル時間15ns

電気特性

メモリ容量512Mbit
メモリ形式DRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数200 MHz
電源電圧1.7V ~ 1.95V
Memory Organization32M x 16

機械特性

パッケージTray
Package / Case60-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ60-VFBGA (8x9)

環境条件

動作温度-25°C~85°C(TC)