W66BL6NBUAFJ

Winbond Electronics

W66BL6NBUAFJ

データシート

メモリ・ストレージ

IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA

生産終了200-WFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SDRAM - Mobile LPDDR4
アクセス時間3.5 ns
ベース品番W66BL6
メーカーWinbond Electronics
実装タイプSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
書き込みサイクル時間18ns

電気特性

メモリ容量2Gbit
メモリ形式DRAM
Memory InterfaceLVSTL_11
クロック周波数1.6 GHz
電源電圧1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Memory Organization128M x 16

機械特性

パッケージTray
Package / Case200-WFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ200-WFBGA (10x14.5)

環境条件

動作温度-40°C ~ 105°C (TC)