WNSC2D08650TJ

WeEn Semiconductors

WNSC2D08650TJ

データシート

アナログ・電源

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN

量産中4-VSFN Exposed Padアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

ベース品番WNSC2
Capacitance @ Vr, F260pF @ 1V, 1MHz
メーカーWeEn Semiconductors
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
技術SiC (Silicon Carbide) Schottky

電気特性

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)8A
Current - Reverse Leakage @ Vr40 µA @ 650 V
速度No Recovery Time > 500mA (Io)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case4-VSFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ5-DFN (8x8)

環境条件

Operating Temperature - Junction175°C