一般
| ベース品番 | TB100 |
|---|---|
| メーカー | WeEn Semiconductors |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 150mA, 750mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 700 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 14 @ 100mA, 5V |
| Power - Max | 2 W |
機械特性
| パッケージ | Tape & Box (TB) |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92-3 |
環境条件
| 動作温度 | 150°C |
|---|