BYV410-600PQ

WeEn Semiconductors

BYV410-600PQ

データシート

アナログ・電源

DIODE ARRAY GP 600V 20A TO220E

量産中TO-220-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

ベース品番BYV410
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
メーカーWeEn Semiconductors
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)55 ns
技術Standard

電気特性

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)20A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 600 V
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseTO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-220E

環境条件

Operating Temperature - Junction175°C