SUP60061EL-GE3

Vishay Siliconix

SUP60061EL-GE3

データシート

アナログ・電源

P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TO-2

量産中TO-220-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 20A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9600 pF @ 40 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C150A (Tc)
最大消費電力375W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseTO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-220AB

環境条件

動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)