SQJQ112E-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJQ112E-T1_GE3

データシート

アナログ・電源

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)

量産中PowerPAK® 8 x 8アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.53mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15945 pF @ 25 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C296A (Tc)
最大消費電力600W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® 8 x 8
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® 8 x 8

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)