SQJB60EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

SQJB60EP-T2_GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8

量産中PowerPAK® SO-8 Dualアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 10A, 10V
構成2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600pF @ 25V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR)
製品ステータス量産中
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Power - Max48W (Tc)

機械特性

Package / CasePowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® SO-8 Dual

環境条件

GradeAutomotive
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101