SQJ488EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

SQJ488EP-T2_GE3

データシート

アナログ・電源

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE

量産中PowerPAK® SO-8アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 7.1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds978 pF @ 50 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C42A (Tc)
最大消費電力83W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® SO-8

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)