SQ2315ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ2315ES-T1_GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3

量産中TO-236-3, SC-59, SOT-23-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 3.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds870 pF @ 4 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス量産中
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)
最大消費電力2W (Tc)

環境条件

GradeAutomotive
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101