SIZF916DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZF916DT-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET 2N-CH 30V 23A 8PWRPAIR

量産中8-PowerWDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
ベース品番SIZF916
構成2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET® Gen IV
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Ta), 40A (Tc)
Power - Max3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-PowerPair® (6x5)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)