一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 19A, 10V |
|---|---|
| ベース品番 | SIZ710 |
| 構成 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 10V |
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 梱包 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| 製品ステータス | Last Time Buy |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |