SIZ320DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ320DT-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET 2N-CH 25V 30A/40A 8PWR33

生産終了8-PowerWDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
ベース品番SIZ320
構成2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータスLast Time Buy
シリーズPowerPAIR®, TrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc), 40A (Tc)
Power - Max16.7W, 31W

機械特性

Package / Case8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-Power33 (3x3)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)