SISS70DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISS70DN-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK

量産中PowerPAK® 1212-8Sアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs29.8mOhm @ 8.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds535 pF @ 62.5 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧125 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.5A (Ta), 31A (Tc)
最大消費電力5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® 1212-8S
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® 1212-8S

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)