SISS66DN-T1-GE3

Name: SISS66DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

アナログ・電源

MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK

量産中PowerPAK® 1212-8Sアナログ・電源

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.38mOhm @ 20A, 10V
FET Feature	Schottky Diode (Body)
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	85.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3327 pF @ 15 V
メーカー	Vishay Siliconix
実装タイプ	Surface Mount
Product Status	Active
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
技術	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+20V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

ドレイン-ソース間電圧	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	49.1A (Ta), 178.3A (Tc)
最大消費電力	5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

動作温度	-55°C~150°C(TJ)