SISS63DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISS63DN-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK

量産中PowerPAK® 1212-8Sアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7mOhm @ 15A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs236 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7080 pF @ 10 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET® Gen III
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35.1A (Ta), 127.5A (Tc)
最大消費電力5W (Ta), 65.8W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® 1212-8S
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® 1212-8S

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)