SISH892BDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISH892BDN-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

量産中PowerPAK® SO-8アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs30.4mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1110 pF @ 50 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET® Gen IV
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A (Ta), 20A (Tc)
最大消費電力3.4W (Ta), 29W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® SO-8
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® SO-8DC

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)