SISF04DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISF04DN-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK 1212-8

量産中PowerPAK® 1212-8SCDアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 7A, 10V
ベース品番SISF04
構成2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2600pF @ 15V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス量産中
シリーズTrenchFET® Gen IV
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Ta), 108A (Tc)
Power - Max5.2W (Ta), 69.4W (Tc)

機械特性

Package / CasePowerPAK® 1212-8SCD
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® 1212-8SCD

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)