SISA35DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISA35DN-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK

量産中PowerPAK® 1212-8アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 9A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 15 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET® Gen III
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 16A (Tc)
最大消費電力3.2W (Ta), 24W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® 1212-8
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® 1212-8

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)