SIS176LDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS176LDN-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE

量産中PowerPAK® 1212-8アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.9mOhm @ 10A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1660 pF @ 35 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET® Gen IV
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧70 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)3.3V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
最大消費電力3.6W (Ta), 39W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® 1212-8
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® 1212-8

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)