SIS126DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS126DN-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK

量産中PowerPAK® 1212-8アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.2mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1402 pF @ 40 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス量産中
シリーズTrenchFET® Gen IV
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta), 45.1A (Tc)
最大消費電力3.7W (Ta), 52W (Tc)

機械特性

Package / CasePowerPAK® 1212-8
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® 1212-8

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)