SIRA20DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIRA20DP-T1-RE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK

量産中PowerPAK® SO-8アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.58mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10850 pF @ 10 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+16V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C81.7A (Ta), 100A (Tc)
最大消費電力6.25W (Ta), 104W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® SO-8

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)