SIR681DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIR681DP-T1-RE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK

量産中PowerPAK® SO-8アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.2mOhm @ 10A, 10V
ベース品番SIR681
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4850 pF @ 40 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET® Gen IV
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
最大消費電力6.25W (Ta), 104W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® SO-8

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)