SIR1309DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR1309DP-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

量産中PowerPAK® SO-8アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3mOhm @ 10A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3250 pF @ 15 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET® Gen IV
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19.1A (Ta), 65.7A (Tc)
最大消費電力4.8W (Ta), 56.8W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® SO-8

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)