SIJH600E-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIJH600E-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

量産中PowerPAK® 8 x 8アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.92mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9950 pF @ 30 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET® Gen IV
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C37A (Ta), 373A (Tc)
最大消費電力3.3W (Ta), 333W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® 8 x 8
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® 8 x 8

環境条件

動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)