SIJH5800E-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIJH5800E-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET

量産中PowerPAK® 8 x 8アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.35mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7730 pF @ 40 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Ta), 302A (Tc)
最大消費電力3.3W (Ta), 333W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® 8 x 8
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® 8 x 8

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)