SIJ186DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIJ186DP-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK

量産中PowerPAK® SO-8アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1710 pF @ 30 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET® Gen IV
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Ta), 79.4A (Tc)
最大消費電力5W (Ta), 57W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® SO-8

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)