SIHU2N80E-GE3

Vishay Siliconix

SIHU2N80E-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

量産中TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.75Ohm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds315 pF @ 100 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズE
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Tc)
最大消費電力62.5W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
サプライヤーデバイスパッケージTO-251AA

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)