SIHP24N80AE-GE3

Vishay Siliconix

SIHP24N80AE-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 800V 21A TO220AB

量産中TO-220-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs184mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1836 pF @ 100 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプThrough Hole
梱包Tube
製品ステータス量産中
シリーズE
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Tc)
最大消費電力208W (Tc)

機械特性

Package / CaseTO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-220AB

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)