SIHJ7N65E-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIHJ7N65E-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8

量産中PowerPAK® SO-8アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs598mOhm @ 3.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds820 pF @ 100 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.9A (Tc)
最大消費電力96W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® SO-8

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)