SIHH28N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIHH28N60E-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8

量産中8-PowerTDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs98mOhm @ 14A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2614 pF @ 100 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
梱包Bulk
製品ステータス量産中
シリーズE
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C29A (Tc)
最大消費電力202W (Tc)

機械特性

Package / Case8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® 8 x 8

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)