SIHG080N60E-GE3

Vishay Siliconix

SIHG080N60E-GE3

データシート

アナログ・電源

E SERIES POWER MOSFET TO-247AC

量産中TO-247-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 17A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2557 pF @ 100 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズE
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Tc)
最大消費電力227W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-247AC

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)