SIHD6N62ET1-GE3

Vishay Siliconix

SIHD6N62ET1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

量産中TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds578 pF @ 100 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス量産中
シリーズE
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧620 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
最大消費電力78W (Tc)

機械特性

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージTO-252AA

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)