SIHB24N80AE-GE3

Name: SIHB24N80AE-GE3
Brand: Vishay Siliconix

アナログ・電源

MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK

量産中TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	184mOhm @ 10A, 10V
ベース品番	SIHB24
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1836 pF @ 100 V
メーカー	Vishay Siliconix
実装タイプ	Surface Mount
Product Status	Active
技術	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

ドレイン-ソース間電圧	800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	21A (Tc)
最大消費電力	208W (Tc)

動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)