SIHB22N65E-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIHB22N65E-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

N-CHANNEL 650V

量産中アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 11A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2415 pF @ 100 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Tc)
最大消費電力227W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
サプライヤーデバイスパッケージTO-263 (D2PAK)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)